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R&D
R&D
끊임없는 연구개발과 기술혁신을 통해 지속 가능한 미래 건설에 앞장서겠습니다.
R&D
연구분야
연구개발현황
반도체 제조 공정에 필수적인 다양한 프리커서 합성 · 정제 기술 및 이와 관련된 증착 공정 개발에 집중하고 있습니다.
특히 유전체, 금속 등 다양한 박막을 증착하기 위한 ALD/CVD 프리커서 개발에 중점을 두고 있으며,
VOC 중심 제품 개발을 통해 미래 먹거리 창출을 위한 신성장 동력 확보를 위해 노력하고 있습니다.
주요 연구 분야
프리커서 합성/정제 공정개발
High-k (Zr, Hf, Ti) 및 Low-k, Si (Amino Silane, Halo Silane, Higher Silane)계, Metal (Mo, Co, Ru)계증착 공정  (ALD, CVD)
Precursor R&D for Semiconductor Devices
Precursor researches and develops various precursors and process solutions used in manufacturing semiconductor devices.
We are specially focusing on ALD/CVD precursors to deposit various films such as dielectrics, metals, semiconductors, and etc.
Our laboratory is doing the best to provide the differentiated products and solutions to meet various customer's needs.
Lists of products
Completed Development Product
DIS, BDIPADS, Ru(EtCp)2, CpCo(CO)2, CCTBA, TDMAT, Star-Ti, TEMAZT, TEMAHF, MoO2Cl2
Completed Development Product
DIS
- Development of gate spacer for highly conformal thin films
MoO2Cl2
DIS
- Development of Word line for Fluorine Free Tungsten
- Low resistivity a thin film
Precursor Structure Properties Application
DIS Molecular Weight (g/mol) 283.91
GAA gate spacer - SiN thin films

-Stable vapor phase

-Highly conformal thin films
Phase Liquid
Boiling Point (C) 149-150
Melting Point (°C) -1
Vapor Pressure 55°C(@25Torr)
MoO2Cl2 Molecular Weight (g/mol) 198.84
Word line Metal in 3D NAND

-Fluorine Free Tungsten

-Low resistivity a thin film
Phase Solid
Melting Point (°C) 175
Decomposition Point (°C) 428
특허명 출원일 출원번호 등록번호
이중치환 사이클로펜타디엔 화합물, 유기금속 화합물 및 그 제조방법 2018-08-27 10-2018-0100348 10-2080218
사이클로펜타디엔이 도입된 유기금속 화합물 전구체를 이용한 유전체 필름의 형성 방법 및 그 의반도체 제조에서의 용도 2019-12-23 10-2019-0173338 10-2259874
아미노실란계 전구체 기반의 소수성 박막 형성 방법 2019-01-03 10-2019-0000628 10-2273964
신규한 루테늄 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함히는 박막 형성용 원료, 및 이를 이용하여 고순도 루테늄 박막을 형성하는 방법 2020-10-08 10-2020-0130117 10-2519909
저온에서의 실리콘-함유 박막 형성방법 2017-01-25 10-2017-0012290 10-1934773
루테늄 박막의 선택적 증작 방법 2020-11-27 10-2020-0162296 10-2536802