Precursor | Structure | Properties | Application | |
DIS | Molecular Weight (g/mol) | 283.91 |
GAA gate spacer - SiN thin films
-Stable vapor phase -Highly conformal thin films |
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Phase | Liquid | |||
Boiling Point (C) | 149-150 | |||
Melting Point (°C) | -1 | |||
Vapor Pressure | 55°C(@25Torr) | |||
MoO2Cl2 | Molecular Weight (g/mol) | 198.84 |
Word line Metal in 3D NAND
-Fluorine Free Tungsten -Low resistivity a thin film |
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Phase | Solid | |||
Melting Point (°C) | 175 | |||
Decomposition Point (°C) | 428 |
특허명 | 출원일 | 출원번호 | 등록번호 |
이중치환 사이클로펜타디엔 화합물, 유기금속 화합물 및 그 제조방법 | 2018-08-27 | 10-2018-0100348 | 10-2080218 |
사이클로펜타디엔이 도입된 유기금속 화합물 전구체를 이용한 유전체 필름의 형성 방법 및 그 의반도체 제조에서의 용도 | 2019-12-23 | 10-2019-0173338 | 10-2259874 |
아미노실란계 전구체 기반의 소수성 박막 형성 방법 | 2019-01-03 | 10-2019-0000628 | 10-2273964 |
신규한 루테늄 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함히는 박막 형성용 원료, 및 이를 이용하여 고순도 루테늄 박막을 형성하는 방법 | 2020-10-08 | 10-2020-0130117 | 10-2519909 |
저온에서의 실리콘-함유 박막 형성방법 | 2017-01-25 | 10-2017-0012290 | 10-1934773 |
루테늄 박막의 선택적 증작 방법 | 2020-11-27 | 10-2020-0162296 | 10-2536802 |